酸化物半導体を用いた次世代メモリの研究開発_■Y2602

職務内容

採用背景

3Dフラッシュメモリおよび新規メモリの開発を行っているキオクシアは、酸化物半導体トランジスタを用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術の研究開発をしています。

この技術は、AIやポスト5G情報通信システムで利用される大規模メインメモリが搭載されるサーバーやIoT製品などの幅広いアプリケーションにおいて低消費電力化を実現する可能性がございます。

今般は、特に新規メモリの開発に向けて、メモリ開発経験のあるデバイス技術者を募集いたします。共に業務に邁進頂ける方の応募をお待ちしております。

組織のミッション

組織全体：新規デバイス、新規メモリ開発を進め、キオクシアの将来の事業の柱となるデバイスを研究開発していく組織です。

お任せする業務

新規メモリ(低消費電力DRAM)の開発、製品化

具体的な仕事内容

以下のいずれかもしくは複数の業務に携わっていただきます。

• 酸化物半導体デバイスの開発
• 酸化物半導体デバイスを用いた新規メモリ(低消費電力DRAM)の開発

1. デバイス特性の原理構築(物理の解明)：

酸化物半導体メモリの基本動作特性を物理層から解明し、メモリ素子としての動作を確立

2. 酸化物半導体素子のモデル化と最適化：

TCAD解析を用いた高度なシミュレーションと試作結果の突合による素子構造/プロセスの最適化

3. デザインルールの策定(設計ルール定義)：

将来の量産を見据え、安定的なデバイス構造の考案と設計ルールの定義

4. グローバルプレゼンスの確立：

ISSCCやIEDMなどの国際学会を見据えた、世界最先端のテクニカルデータの創出

先端技術研究所内やその関係部署のプロセス開発、回路設計、信頼性評価、プロジェクトマネージャーと密に連携しております。研究開発と製品化の橋渡しを担う、非常に裁量の大きな環境です。

[従事すべき業務の変更の範囲]

（雇入れ直後）上記の通り

（変更の範囲）その他会社が指示する業務

使用ツール

• 電気特性測定：DCテスター、メモリテスター
• 物理・故障解析：発光解析装置
• データ解析・可視化：統計的解析ツール(Spotfire)
• 自動化・高度解析：Python

業務のやりがい・魅力

• 既存のSi（シリコン）上デバイスとは異なる領域で培った「新規デバイス開発能力」は、次世代の半導体業界において、ご自身の圧倒的な希少価値（自己実現）へと繋がります。
• 酸化物半導体を「メモリ素子」として成立させるための物理的基盤を、自らの手で築けます。
• まだ誰も正解を知らない物理モデルを、自らの仮説と検証によって世界で初めて定義していくプロセスは、技術者として代えがたい経験となります。
• データセンターの消費電力爆発が社会課題となる中、OCTRAMによる低消費電力化は、AI・ビッグデータ時代のインフラを支える解決策の一案となります。研究のための研究ではなく、数十年後の地球規模の課題解決に直結するデバイスを生み出すという、明確な社会的意義を感じながら開発に没頭できます。

キャリアパスイメージ

酸化物半導体デバイス開発を通じて得られた知見をもとに、新規メモリ(低消費電力DRAM)の製品開発を行って頂き、製品開発のけん引をして頂く予定です。

職場環境

• 平均残業時間：30時間/月
• 在宅勤務地：1～2日/週程度※業務事情による
• 最新のオフィスで開放的な雰囲気のなか、業務に集中できる環境が整っており、チーム全員が一体となって問題解決に取り組む姿勢が根付いています。
• 構内には、社員食堂やコンビニも完備されております。

入社後の教育／OJT 一例

OJT／メンター制度を中心に、部門内での充実した教育プログラムが用意されており、実践的なスキルを身に付けることができます。

また、Web上で選択可能な多彩な教育システムも整っているため、自分のペースで学びたい内容を選び、キャリアアップに繋げることができます。さらに、社外研修受講も推奨しており、あなたの成長をサポートするための環境が整っています。

参考記事

• 職種紹介をみる
• 社員インタビューをみる
• 企業情報をみる
• 福利厚生・人材育成を知る
• 採用情報をみる
• オフィス風景をみる
• キャリア採用サイトをみる

四日市について

• 四日市市の魅力
• 「30億件のデータ×AI」で進化し続ける巨大スマートファクトリー

応募資格

必須要件

下記いずれかのご経験・知見をお持ちの方

• 酸化物半導体または次世代メモリに関する研究・デバイス開発のご経験
• 液晶・有機ELディスプレイ向けにおける酸化物TFT（IGZO等）のデバイス開発・評価のご経験
• シリコン系メモリ等におけるTCAD解析、またはデバイス設計・デザインルール策定の経験

歓迎要件

• DRAM、NAND等の半導体メモリセル開発最適化、または製品開発経験
• 薄膜トランジスタ（TFT）の薄膜物性・キャリア制御に関する深い知見および評価実績
• 液晶・有機ELディスプレイ製品開発経験
• チームリーダーの経験
• ビジネスレベルの語学力（英語または中国語）

学歴

大卒以上

待遇

• 給与：月給33.3万～80万円（想定年収 550万～1260万円）

• 雇用形態：正社員(試用期間2か月、契約期間の定めなし)

年収例

• 950万円／36歳（既婚・子2人／月給53万円＋各種手当＋賞与）

• 680万円／28歳（独身／月給39万円＋各種手当＋賞与）

• 勤務時間 ：8時30分～17時15分(※休憩時間60分、フレックスタイム制）
• 休日・休暇 ：年間休日125日(2026年度)、完全週休2日制(土日)、

祝日、ＧＷ、夏季、年末年始、有給休暇、赴任休暇、介護休暇、妊娠保護休暇、看護等休暇等

• 諸手当：次世代育成手当

（18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月）

住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当、在宅勤務手当等

• 寮・社宅：独身寮、単身寮、家族社宅
• その他：昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)、交通費支給(規定による)、

在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年金制度、従業員持株制度、健康保険、雇用保険、労災保険等

勤務地

Web面接実施中

四日市工場（三重県四日市市）

• 近鉄富田駅より車10分、バス20分

• 東名阪道四日市東ICより車5分
• 車通勤可
• バイク通勤可

敷地内禁煙（但し屋内喫煙可能場所あり）

[就業場所の変更の範囲]

（雇入れ直後）上記の通り

（変更の範囲）会社が指定する場所