新規3Dメモリデバイス技術開発_Y2656

職務内容

採用背景

AIの普及やポスト5G時代の到来に伴い、データセンターやIoT機器におけるメモリの消費電力低減は世界的な課題です。NAND型フラッシュメモリで世界トップクラスのシェアを誇るキオクシアでは、既存DRAMの課題を克服する「酸化物半導体トランジスタを用いた新規3Dメモリ（OCTRAM）」の研究開発を推進しています。世界最高峰の半導体学会「IEDM」で2年連続採択されるなど、技術的な優位性の確立に向けた取り組みを進めています。世界最大級の生産基盤を持つ当社だからこそ実現できる「次世代メモリの社会実装」に向け、開発を現場で力強く推進していただく即戦力エンジニアを募集します。

組織のミッション

• 部門ミッション：高速メモリデバイスの研究開発フェーズを担当し、デバイス検証から製品開発（量産）フェーズへの移管を確実に実行する。
• グループミッション：新規3Dメモリ（OCTRAM）の研究開発において、デバイス検証・構造最適化を行い、製品開発フェーズへの円滑な移管を担う。

お任せする業務

酸化物半導体を用いた新規3Dメモリのデバイス設計、デバイス検討ロットの試作と形状および電気特性評価による特性改善および不良解析と信頼性の改善。

具体的な仕事内容

• デバイス設計：TCADを用いてシミュレーションを行い、試作Lotを作成・評価を行い、ターゲット特性を満たすデバイスを設計する
• 構造・プロセス設計：新規3Dメモリのデバイス構造およびプロセスフローを検討・設計する
• 試作検証：ユニットプロセス（成膜・リソグラフィー・エッチング）や回路設計・インテグレーション担当者と連携し、検討ロットを試作する
• 評価・解析：試作チップの電気特性評価、パラメトリック解析、不良解析および信頼性評価を実施する
• 改善・最適化：評価データに基づき課題を抽出・原因究明し、デバイス構造やプロセス条件の最適化を推進する
• 製品開発移管：デバイスの完成度を高め、後続の製品開発フェーズへの技術移管を進める

[従事すべき業務の変更の範囲]

（雇入れ直後）上記の通り

（変更の範囲）その他会社が指示する業務

使用ツール

• SEMulator3D（構造・形状予測、モデリング）
• Sentaurus Device（電気動作のシミュレーション）
• SiView（試作・製造工程への依頼・進行管理）
• Spotfire（試作データの分析）
• Officeツール（Excel, Word, PowerPoint）

業務のやりがい・魅力

• 「酸化物半導体×3Dメモリ」という最先端分野で、デファクトスタンダードとなる技術の開発に初期段階から携わることができます。
• 研究室レベルにとどまらず、四日市工場という世界トップクラスの巨大製造拠点を通じて、自身が手がけたデバイスが将来グローバルに量産・社会実装される確かな手応えが得られます。

当社の特徴

• フラッシュメモリで培った高度な3D積層技術と、酸化物半導体に関する豊富な知見を融合させた独自の開発体系を確立しています。
• 半導体分野で最も権威のある国際学会「IEDM」において、酸化物半導体メモリに関する論文が2年連続（2024年・2025年）で採択されるなど、世界トップレベルの研究実績を誇ります。

キャリアパスイメージ

ご入社後はこれまでのご経験を活かしつつ実業務に慣れていただき、デバイス開発のサブリーダーとしてプロジェクトを牽引していただきます。

将来的には、新規メモリ開発全体を主導するプロジェクトリーダーや技術領域を極めるキーパーソンとしての活躍を期待しています。

上記は参考例であり、技術スペシャリスト路線、またはプロジェクトマネジメント路線など様々な選択肢がございます。

「今の職場では、将来のキャリアが見えづらい」「専門性を磨きたいけど、道筋がない」―そんな不安を感じている方も、キオクシアでは幅広いキャリアの選択肢があります。

職場環境

• 平均残業時間：40時間/月
• 在宅勤務：1～2日/週程度可(業務事情による)
• デバイス・プロセスの専門家が身近にいて最先端の半導体技術を習得できる環境です。

研修・育成制度

• 半導体関連学会での発表機会
• 技術者教育
• メンター制度によるOJT
• 部門のリカレント教育

参考記事

• 職種紹介をみる(プロセス技術・デバイス技術)
• 企業情報をみる
• 福利厚生・人材育成を知る
• 採用情報をみる
• オフィス風景をみる
• キャリア採用サイトをみる

四日市について

• 四日市市の魅力
• 「30億件のデータ×AI」で進化し続ける巨大スマートファクトリー

応募資格

必須要件

以下いずれかの経験３年以上

• 半導体のデバイス研究開発
• 半導体のデバイス・インテグレーション研究開発
• 半導体製造装置の研究開発

歓迎要件

• パラメトリックアナライザやメモリテスタ等の半導体デバイス評価ツールの使用経験をお持ちの方
• DRAMやNAND等のメモリデバイス、またはCMOSロジック、パワートランジスタ等の研究開発経験をお持ちの方
• TCADを使用した半導体デバイスの研究開発経験をお持ちの方
• 酸化物半導体に関する研究開発経験をお持ちの方

学歴

大卒以上

待遇

• 給与：月給33.3万～80万円（想定年収 550万～1260万円）

• 雇用形態：正社員(試用期間2か月、契約期間の定めなし)

年収例

• 950万円／36歳（既婚・子2人／月給53万円＋各種手当＋賞与）

• 680万円／28歳（独身／月給39万円＋各種手当＋賞与）

• 勤務時間 ：8時30分～17時15分(※休憩時間60分、フレックスタイム制）
• 休日・休暇 ：年間休日125日(2026年度)、完全週休2日制(土日)、

祝日、ＧＷ、夏季、年末年始、有給休暇、赴任休暇、介護休暇、妊娠保護休暇、看護等休暇等

• 諸手当：次世代育成手当

（18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月）

住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当、在宅勤務手当等

• 寮・社宅：独身寮、単身寮、家族社宅
• その他：昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)、交通費支給(規定による)、

在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年金制度、従業員持株制度、健康保険、雇用保険、労災保険等

勤務地

Web面接実施中

四日市工場（三重県四日市市）

• 近鉄富田駅より車10分、バス20分

• 東名阪道四日市東ICより車5分
• 車通勤可
• バイク通勤可

敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり)

[就業場所の変更の範囲]

（雇入れ直後）上記の通り

（変更の範囲）会社が指定する場所